RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2595
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link