RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3364
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Inmos + 256MB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link