RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3364
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link