RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2947
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link