RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
69
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
69
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1831
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link