RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2706
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link