RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2706
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link