RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2706
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Lenovo 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Lenovo 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link