RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2994
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 996969 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link