RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
79
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
79
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1330
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link