RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2690
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link