RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3636
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link