RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2706
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link