RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3268
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link