RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3346
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link