RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3115
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link