RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3573
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link