RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3496
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link