RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3568
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link