RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3568
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link