RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3514
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link