RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3514
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link