RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3207
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link