RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2370
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link