RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3773
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link