RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3861
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link