RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3738
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link