RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3259
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link