RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3519
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link