RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3519
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link