RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4251
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link