RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3899
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link