RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3925
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link