RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3653
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link