RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3653
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link