RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3246
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link