RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2088
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link