RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3305
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link