RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,892.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
6,181.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,892.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
851
4001
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link