RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2440
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link