RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
54
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
49
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2504
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link