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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3305
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
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