RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около -24% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2088
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link