RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2924
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link