RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3463
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link