RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
26.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
104
Wokół strony -643% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
14
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
26.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
4362
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link