Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

22 46

Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.1 1,519.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 3200

Wokół strony 6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

241 2666

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns