RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
59
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
59
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1954
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link