RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2031
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link