RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2382
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link