RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2972
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link