RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
46
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2972
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 64T256020EU2.5C2 2GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link